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新品發(fā)布丨能訊半導體微波能2.4-2.5GHz 600W氮化鎵射頻功率放大器
3月17日，能訊半導體受邀參展2022 EDICON跨越中國·深圳大會(huì )，活動(dòng)現場(chǎng)能訊半導體重磅推出基于GaN的射頻微波能2.4-2.5GHz 600W產(chǎn)品解決方案。
過(guò)去十余年來(lái)，固態(tài)射頻微波能（Solid-state RF Energy）技術(shù)創(chuàng )新正為烹飪、CVD、醫療、高能物理、半導體、照明、汽車(chē)點(diǎn)火等眾多應用帶來(lái)巨大變革。相較于傳統的磁控管方案，GaN以?xún)?yōu)越的特性支撐實(shí)現應用端的小型化和系統控制精準性與穩定性的提高，而高效高可靠性的表現也為整機系統帶來(lái)更長(cháng)的運行壽命以及更可觀(guān)的節能效應。能訊半導體致力于為行業(yè)客戶(hù)提供領(lǐng)先的GaN方案和技術(shù)支持，全力與合作伙伴共同打造基于GaN技術(shù)的Solid-state RF Energy生態(tài)環(huán)境。
基于2022年已發(fā)布的DOD1H2425-320EF（2.4-2.5G 300W），能訊半導體繼續推出新一代的DOD1H2425-600EF（2.4-2.5G 600W），實(shí)現高效、高功率和高可靠性的完美組合，進(jìn)一步為合作伙伴在技術(shù)和成本上提供更具競爭力的解決方案。
DOD1H2425-320EF典型性能：
1 Typical performance in Dynax Demo with the device soldered onto the heatsink,
test condition: VDS = 50 V,VGS = -4.8 V; Input signal CW.
2 Measured at Pout =54.8 dBm.
DOD1H2425-600EF典型性能：
除在常規的2450±15MHz下性能表現優(yōu)異之外，憑借獨特的設計，該產(chǎn)品可以在更大帶寬下使用，2450±50MHz實(shí)測Psat保持＜0.3db的平坦度；
test condition: VDS = 50 V,VGS = -4.8 V; Input signal CW.
針對微波能應用對于器件高效、高可靠性需求：
DOD1H2425-320EF采用陶瓷780封裝，尺寸20*9.4*4.2mm；
DOD1H2425-600EF采用陶瓷1230封裝，尺寸32*9.4*4.52mm；
針對微波能應用場(chǎng)景下連續波不間斷加載的特點(diǎn)，能訊半導體進(jìn)行了熱阻特殊設計，實(shí)現適用于連續波應用的低器件熱阻特性，其中：DOD1H2425-320EF熱阻參考值：?jiǎn)蝧ide熱阻（FEA）為1.3°C/W。
DOD1H2425-600EF熱阻參考值：?jiǎn)蝧ide熱阻（FEA）為0.7°C/W。
DOD1H2425-320EF、DOD1H2425-600EF在200°C結溫下，其MTTF達到10^7小時(shí)，10倍于正常標準下的10^6小時(shí)，極大的提升了系統長(cháng)期運行可靠性。
依托于自有晶圓廠(chǎng)以及完整的設計與封測能力，能訊半導體將繼續發(fā)揮綜合優(yōu)勢，持續推出包括2.4-2.5G更高功率、低頻（Sub-1.5GHz）高效超高功率系列在內的新一代產(chǎn)品，敬請期待！
